特許

J-GLOBAL ID：200903051087713520

半導体装置及びその製造方法

発明者： 平尾 秀司 ,  西脇 徹 ,  石田 哲夫 ,  原田 剛史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190151
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045764
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 開口部底部において、抵抗上昇・接合リークなく高融点金属シリサイドを形成する。【構成】 シリコン基板1上の絶縁膜4に形成された開口部5の内壁、底面及び絶縁膜4上にチタン6を形成する工程と、チタン6とシリコン基板1が反応により単結晶化あるいは多結晶化しない温度領域で開口部5内部を含むチタン6上に窒化チタン7とタングステン8を形成する工程と、少なくともチタン6の一部を熱処理によって単結晶化あるいは多結晶シリサイド化を行なう工程よりなる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

トランジスタを有するシリコン基板と、前記シリコン基板上に開口部を有する絶縁膜と、前記開口部の底面において前記シリコン基板に接する単結晶あるいは多結晶構造の高融点金属シリサイド膜と、前記単結晶あるいは多結晶構造の高融点金属シリサイド膜に接する前記高融点金属シリサイドと同一の非晶質の高融点金属シリサイド膜あるいは前記高融点金属と、少なくとも前記開口部内部に形成されている導電膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R