特許

J-GLOBAL ID：200903051095045633

二重チャネル半導体レーザ及びその製造法

発明者： フランソワ・ブリユエ ,  パトリツク・ガラブデイアン ,  レオン・ゴルドスタン ,  フイリツプ・パグノド-ロスイオー
出願人/特許権者： アルカテル・セイテ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191153
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206576
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】光ファイバ接合の光学増幅器内で使用するポンプレーザ及びその製造法を提供する。【構成】リン化インジウムまたはヒ化ガリウムの半導体レーザの付勢電流は、近接及び遠隔電流遮断手段によりレーザ帯内に限定される。近接電流遮断手段JBは、帯を限定する二つの側方チャネルCL内に形成された遮断接合により形成される。遠隔電流遮断手段は、側方チャネルを腐食する前にエピタキシャル成長させた鉄-ドープした半-絶縁層20,22により形成される。

請求項（抜粋）：

付勢電流が、一方では、レーザ帯を限定する側方チャネルに形成された近接電流遮断手段によりレーザ帯内に限定されており、他方では、前記チャネルを越え且つその外部斜面から直接、その結晶格子がレーザの半導体層と連続している、内部半-絶縁層により限定されている二重チャネル半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-247988