特許

J-GLOBAL ID：200903051095868745

マークの検査方法、マークの検査装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 小池 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358328
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158163
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 高精度かつ容易にマークを測定することが可能なマークの検査方法を提供する。【解決手段】 第1のマーク1上の材料膜5の少なくとも一部を含む第1の領域に荷電ビームを照射する工程と、第2のマーク2の少なくとも一部を含む第2の領域に荷電ビームを照射する工程と、第1の領域への荷電ビーム照射によって生じた2次荷電粒子を検出することで、第1のマークに応じた第1の信号を取得する工程と、第2の領域への荷電ビーム照射によって生じた2次荷電粒子を検出することで、第2のマークに応じた第2の信号を取得する工程と、第1の信号及び第2の信号に基づいて第1のマークと第2のマークとの位置ずれ量を求める工程と、第2の信号に基づいて第2のマークの寸法を求める工程とを備え、第1の領域への荷電ビーム照射と第2の領域への荷電ビーム照射との条件を異ならせる。

請求項（抜粋）：

第1のマークと、第1のマーク上に形成された材料膜と、第1のマークよりも上層側の第2のマークとを有する基板を用意する工程と、前記第1のマーク上の材料膜の少なくとも一部を含む第1の領域に荷電ビームを照射する工程と、前記第2のマークの少なくとも一部を含む第2の領域に荷電ビームを照射する工程と、前記第1の領域への荷電ビーム照射によって生じた2次荷電粒子を検出することで、前記第1のマークに応じた第1の信号を取得する工程と、前記第2の領域への荷電ビーム照射によって生じた2次荷電粒子を検出することで、前記第2のマークに応じた第2の信号を取得する工程と、前記第1の信号及び第2の信号に基づいて前記第1のマークと第2のマークとの位置ずれ量を求める工程と、前記第2の信号に基づいて前記第2のマークの寸法を求める工程と、を備え、前記第1の領域への荷電ビーム照射と前記第2の領域への荷電ビーム照射とを、加速電圧、試料電流、照射時間、照射面積、ビーム走査速度及び照射角度のなかの少なくとも一つの条件を異ならせて行うことを特徴とするマークの検査方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 15/00 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 J ,  G01B 15/00 B ,  H01J 37/28 B ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 520 C

Fターム (30件)：

2F067AA03 ,  2F067AA07 ,  2F067AA13 ,  2F067BB21 ,  2F067CC15 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067RR12 ,  2F067RR35 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106CA50 ,  4M106DB05 ,  4M106DH24 ,  5C033UU01 ,  5C033UU02 ,  5C033UU05 ,  5C033UU08 ,  5F046EA03 ,  5F046EA12 ,  5F046EA13 ,  5F046EA14 ,  5F046EA15 ,  5F046EA17 ,  5F046EB01 ,  5F046FA08 ,  5F046FC03