特許
J-GLOBAL ID：200903051103839792
静電容量式半導体センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267367
公開番号（公開出願番号）：特開平10-111203
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 電極間の距離の精度が高く、センサ特性が安定しており、一般の半導体装置の製造装置を共用することができ、更に集積回路もセンサチップ上に形成することができ、チップの小型化も可能な静電容量式半導体センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11と、このシリコン基板11上に中央部を欠落して形成された酸化膜12と、この酸化膜上に形成されたシリコン膜14とを有する。そして、酸化膜12の欠落部分において、シリコン基板11とシリコン膜14との間に空隙13が形成されている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、このシリコン基板上に中央部を欠落して形成された酸化膜と、この酸化膜上に形成されたシリコン膜とを有し、前記酸化膜の欠落部分において前記シリコン基板とシリコン膜との間に空隙が形成されていることを特徴とする静電容量式半導体センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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