特許
J-GLOBAL ID：200903051108276702
単結晶SiCおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170902
公開番号（公開出願番号）：特開平10-324600
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 高温熱処理により格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない良質の単結晶を効率よく、かつ面積的にも十分な大きさを確保して製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基材1の表面に熱CVD法でβ-SiC層2を形成した後、その複合体Mを1900〜2400°Cの高い温度で熱処理してβ-SiC層2の多結晶体をα-SiCに転化させるとともにα-SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向させてα-SiC単結晶基材1の単結晶と一体の単結晶を界面3に大きく育成させる。
請求項（抜粋）：
α-SiC単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でβ-SiC層を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β-SiC層の多結晶体をα-SiCに転化させるとともに上記α-SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 1/04
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, C30B 1/04
, H01L 21/205
