特許
J-GLOBAL ID：200903051114695652
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010945
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224343
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の多ピン化及び薄型化の要求に対して信頼性が高く高強度を保てると共に、実装時の取扱いを容易にする。【構成】半導体チップ2の回路形成面をダイパッド3に向けてチップ2を接着剤6によりダイパッド3に接合すると共に、インナーリード4aの先端を半導体チップの端子部分まで伸ばして金バンプ7を介して端子に直接接続する。また、インナーリード4及びダイパッド3は樹脂モールド部5内で同一平面上に位置するように延在させ、リードフレーム4及びダイパッド2が半導体チップ2を介して樹脂モールド部5全体を直線状に貫通した構造とする。インナーリード4aの幅はチップに近づくにしたがって次第に狭くなるようにする。
請求項（抜粋）：
ダイパッド上に搭載した半導体チップの端子をリードフレームのインナーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ、ダイパッド及びリードフレームのインナーリードをモールド部にて一体に封止した半導体装置において、前記半導体チップはその回路形成面を前記ダイパッドに向けて該ダイパッドに接合されると共に、前記リードフレームのインナーリードはその先端が前記半導体チップの端子部分まで伸びて該端子に接続され、前記インナーリード及びダイパッドが前記モールド部内で同一平面上に位置するように延在することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, B23K 26/00 320
, H01L 21/60 311
