特許

J-GLOBAL ID：200903051117214329

半導体装置及びその製造方法

発明者： 竹中 信之
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257066
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107209
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 DRAMとロジックが混載された半導体チップの加工精度を向上することができる半導体ウエハー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 DRAM領域3とロジック領域4が半導体チップの左右の領域にそれぞれ配置された半導体チップ2と、上記半導体チップ2をその面上で180度回転させた半導体チップ6を半導体ウエハー1上で上下方向に隣接して配置することで、DRAM領域3とロジック領域4がウエハー全面で市松模様状に形成される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー上に形成され、主にロジック回路からなる第1の領域と主にメモリー回路からなる第2の領域とで主要部分が構成される複数の第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップを前記半導体ウエハーの面上で180度回転させた方向をもつ複数の第2の半導体チップとが、前記第1の領域と第2の領域が交互に位置するように、配置されていることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 471

FI (4件)：

H01L 27/04 A ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 21/82 D