特許

J-GLOBAL ID：200903051117348678

3族窒化物半導体発光素子

発明者： 小池 正好 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106060
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297447
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】AlGaInN の半導体を用いた発光素子の発光強度を向上させること、より純青色に近いスペクトルを得ることである。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上には、順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びマグネシウムドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成るp層6が形成されている。p層6、高キャリア濃度n+層4に接続するニッケルで形成された電極7と電極8が形成されている。電極7と電極8とは、溝9により電気的に絶縁分離されている。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を用いて、n伝導型を示すn層と、p伝導型を示すp層と、その間に介在する発光層がモノ接合、シングルヘテロ接合、又は、ダブルヘテロ接合で形成された3層構造を有する発光素子において、前記発光層には、マグネシウ(Mg)と亜鉛(Zn)が不純物として添加されていることを特徴とする発光素子。