特許
J-GLOBAL ID：200903051122202118

位相シフトマスク及びその製造方法

発明者：
石田 伸二

石田 伸二 について

, 
安里 直生

安里 直生 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028629
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227651
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 照明光がシフター側壁の影響を実質上受けることなく、且つパターン形状によらず露光寸法精度向上が可能となる位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板1の表面に段差を形成し(c)、透明基板1の表面上に遮光膜2を形成し(d)、透明基板1の段差の凸部の表面が露出するまで遮光膜2をCMPにより平坦化し、これにより遮光膜2を透明基板1の段差の凹部に対応する遮光膜パターンとなし(e)、しかる後に基板段差凸部の表面及び遮光膜パターン2の表面の全体を覆うように位相シフター4を形成し(f)、ウェットエッチングにより位相シフター4をパターニングして基板段差凸部のうちの所望のものの表面及びそれに隣接する遮光膜パターン2の領域の表面を覆うようにして遮光膜パターン2上にエッジを持つ位相シフターパターン4を形成する(h)。
請求項（抜粋）：
透明基板の表面に段差を形成し、前記透明基板の表面上に遮光膜を形成し、前記透明基板の段差の凸部の表面が露出するまで前記遮光膜をCMPにより平坦化し、これにより前記遮光膜を前記透明基板の段差の凹部に対応する遮光膜パターンとなし、しかる後に前記基板段差凸部のうちの所望のものの表面及びそれに隣接する前記遮光膜パターンの領域の表面を覆うようにして前記遮光膜パターン上にエッジを持つ位相シフターパターンを形成することを特徴とする、位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Fターム (11件)：
2H095BB03 ,  2H095BB15 ,  2H095BB16 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC10 ,  2H095BC24 ,  2H095BC28 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046BA08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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