半導体デバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-058969
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255762
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】従来のイオンインプランテーションを浅い接合形成に応用した場合に発生していた問題点を解決し、一原子イオンを用いたのと同等以上の急峻で浅いインプランテーションプロファイルを効率よく作成することができる半導体デバイスの製造方法を提供すること。【構成】分子イオンインプランテーションを使用して浅い接合形成を行う。

請求項（抜粋）：