特許
J-GLOBAL ID:200903051127214408
固体撮像装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-375475
公開番号(公開出願番号):特開2001-189893
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】増幅型のCMOSイメージセンサにおいて、ダイナミックレンジを大幅に拡大し、小信号から大信号までクリップされない良好な画像を得られる。【解決手段】フォトダイオードPDで光電変換し、蓄積した信号電荷を検出部DNに読み出す読み出しトランジスタTdと、検出部に読み出された電荷を増幅する増幅トランジスタTbとを単一セルとし半導体基板上に二次元的に配置され、複数本の垂直シフトレジスタ2,20,30 で複数の信号電荷読み出しパルスESi 、DRi 、ROiを発生させ、ダイナミックレンジ制御用の読み出しパルスDRi の電圧VDR を、電子シャッタ用の読み出しパルスESi 、通常の読み出しパルスしROi の電圧VDD より低く設定する電圧切り換え回路31とを具備する。
請求項(抜粋):
画素への入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換手段、蓄積した信号電荷を検出部に読み出す読み出し手段および読み出された電荷を増幅する増幅手段を備えた単位セルが半導体基板上に二次元的に配置されてなり、複数の画素行を有する撮像領域と、前記読み出し手段に印加される読み出し駆動信号を、内部制御に応じて互いに異なる複数の電圧のいずれかに設定するための読み出し電圧切換回路とを具備することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件):
H04N 5/335
, H01L 29/762
, H01L 21/339
FI (3件):
H04N 5/335 P
, H04N 5/335 E
, H01L 29/76 301 C
Fターム (14件):
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118FA42
, 5C024CX45
, 5C024CX54
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024GY35
, 5C024GY37
, 5C024GY39
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