特許

J-GLOBAL ID：200903051128535674

半導体装置の欠陥検出装置および欠陥検出方法

発明者： 吉沢 規次
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368638
公開番号（公開出願番号）：特開2003-166944
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体装置の欠陥検出装置は、欠陥の位置を特定することができるが、欠陥の大きさ等を特定するには顕微鏡等を用いて欠陥が発生した部位を再度検査する必要があって、欠陥を定量的に評価するには手間がかかるという課題があった。【解決手段】 半導体装置の欠陥検出装置において、レーザ光線発生部6と、表面層4内にレーザ光線を入射させるプリズム7と、表面層上の各部位におけるレーザ光線の光量を検出する光検出部9と、複数の光強度分布パターンを記憶する記憶部11と、表面層4上の光強度分布を求めるとともに記憶部11に記憶されたそれぞれの光強度分布パターンを参照して表面層4内に存在する1または複数の欠陥の状態を特定する制御部10とを備える。

請求項（抜粋）：

レーザ光線を出力するレーザ光線発生部と、該レーザ光線発生部から出力されるレーザ光線を半導体装置の表面層内を導波するように入射させるレーザ光線入射部と、前記半導体装置の前記表面層上を走査して前記表面層上の各部位におけるレーザ光線の光量を検出する光検出部と、サンプルとして与えられた欠陥毎に得られるレーザ光線の光強度分布パターンを記憶する光強度分布パターン記憶部と、前記光検出部から光量に係るデータを入力して前記表面層上の光強度分布を求めるとともに前記光強度分布パターン記憶部に記憶されたそれぞれの光強度分布パターンを参照して前記表面層内に存在する1または複数の欠陥の状態を特定する欠陥特定部とを備えることを特徴とする半導体装置の欠陥検出装置。

IPC (3件)：

G01N 21/956 ,  G01B 11/30 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/956 A ,  G01B 11/30 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 N

Fターム (33件)：

2F065AA49 ,  2F065CC25 ,  2F065DD06 ,  2F065FF41 ,  2F065GG04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ18 ,  2F065LL02 ,  2F065LL12 ,  2F065MM24 ,  2F065NN13 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051BA10 ,  2G051BB20 ,  2G051CA02 ,  2G051CB05 ,  2G051CC17 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051FA10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA42 ,  4M106CA43 ,  4M106DB08 ,  4M106DB16 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ20