特許

J-GLOBAL ID：200903051132095468

半導体装置用リードフレームの薄めっき方法

発明者： 島津 浩志 ,  苅谷 泰寛
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189854
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 素子搭載部及びインナーリードの先部に所定の厚みの薄めっきをすることが可能な半導体装置用リードフレームの薄めっき方法を提供する。【解決手段】 中央の素子搭載部11と、その周囲に設けられた多数本のインナーリード12の先部に耐熱性金属の薄めっきを行う半導体装置用リードフレーム10の薄めっき方法であって、前記素子搭載部11の薄めっきとインナーリード12の先部の薄めっきとを、それぞれ独立に露出するマスキングプレート22、26を備えた同一ラインの別工程で行う。

請求項（抜粋）：

中央の素子搭載部と、その周囲に設けられた多数本のインナーリードの先部に耐熱性金属の薄めっきを行う半導体装置用リードフレームの薄めっき方法であって、前記素子搭載部の薄めっきと前記インナーリードの先部の薄めっきとを、それぞれ独立に露出するマスキングプレートを備えた同一ラインの別工程で行うことを特徴とする半導体装置用リードフレームの薄めっき方法。【請求項2 】 前記素子搭載部及び前記インナーリードの先部に形成される薄めっき層は、厚みが0.2μm以下のAg又はAuめっきからなる請求項1記載の半導体装置用リードフレームの薄めっき方法。【請求項3】 前記素子搭載部及び前記インナーリードの先部のめっきは、それぞれのめっき条件に適合するめっき用電源装置を別々に備えている請求項1又は2記載の半導体装置用リードフレームの薄めっき方法。