特許

J-GLOBAL ID：200903051144139568

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 安藤 精後 ,  小林 直樹 ,  安藤 弘明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166391
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013700
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 キャリアの損失が低く、発振閾値が低い半導体レーザを実現する。【構成】 半導体レーザは、半導体基板1の(111)B面上に、この基板と平行に積層された第1のクラッド層2、活性層3および第2のクラッド層を有する。この活性層3は共振器の寸法を有し、また、この活性層の共振器端面は第2のクラッド層4により覆われ基板に垂直方向に形成された正6角形状のダブルヘテロ構造を有する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる基板の(111)B面上に、該基板と平行に積層された第1のクラッド層、活性層および第2のクラッド層を有し、前記活性層は共振器の寸法を有し、かつ、前記共振器の端面は前記基板に対して垂直に形成された前記第2のクラッド層により被覆されている6角形状のダブルヘテロ構造を有することを特徴とする半導体レーザ。