特許
J-GLOBAL ID：200903051144684434

ポリシリコン膜の結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システム

発明者：
大川内 浩喜

大川内 浩喜 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-184111
公開番号（公開出願番号）：特開2007-003352
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】電子ビームで結晶粒を測定して、自動的にポリシリコン膜の結晶状態の検査を行う結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システムを提供する。【解決手段】ポリシリコン膜の結晶状態検査装置80は、電子ビーム通過経路及び該電子ビームを照射しようとする大気圧下に置かれた状態の被検査ポリシリコン膜20の表面を局部的に高真空に維持できる照射ヘッド50と前記電子ビームの照射によって被検査ポリシリコン膜20の表面から発生する2次電子を検出できる電子線検出器47を備えた走査型電子顕微鏡40と、電子線検出器47に接続され、前記電子ビームで撮像した被検査ポリシリコン膜20の撮像画像から、その被検査ポリシリコン膜20の結晶粒径サイズを測定し、その被検査ポリシリコン膜20の良否を検査できる画像処理ユニット70とを備えて構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子ビーム通過経路及び該電子ビームを照射しようとする大気圧下に置かれた状態の被検査ポリシリコン膜の表面を局部的に高真空に維持できる照射ヘッドと前記電子ビームの照射によって前記ポリシリコン膜の表面から発生する2次電子を検出できる電子線検出器を備えた走査型電子顕微鏡と、 前記照射ヘッドの下方に被検査ポリシリコン膜を載置できるステージと、 前記電子線検出器に接続され、前記電子ビームで撮像した被検査ポリシリコン膜の撮像画像から、その被検査ポリシリコン膜の結晶粒径サイズを測定し、前記被検査ポリシリコン膜の良否を検査できる画像処理ユニットと を備えていることを特徴とするポリシリコン膜の結晶状態検査装置。
IPC (7件)：
G01N 23/225 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/18 ,  H01J 37/22 ,  H01L 21/66
FI (7件)：
G01N23/225 ,  H01L21/268 T ,  H01L21/20 ,  H01J37/28 B ,  H01J37/18 ,  H01J37/22 502H ,  H01L21/66 N
Fターム (32件)：
2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA14 ,  2G001KA10 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA07 ,  2G001QA01 ,  4M106AA10 ,  4M106CB30 ,  5C033KK09 ,  5C033UU03 ,  5C033UU05 ,  5C033UU10 ,  5F152AA06 ,  5F152AA17 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CE05 ,  5F152CE13 ,  5F152FF03 ,  5F152FG03 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152FG19 ,  5F152FG23 ,  5F152FG29 ,  5F152FH01
引用特許：
審査官引用 (12件)
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