特許

J-GLOBAL ID：200903051146889750

半導体薄膜トランジスタおよび該半導体薄膜トランジスタを含む半導体薄膜トランジスタアレイ基板

発明者： 中山 明男
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337001
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177094
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 TFTのオン抵抗を低減できる構造を有するTFT、および駆動能力および表示面内におけるTFT特性の均一性を高めることにより、表示品質の高いTFT-LCDを実現しうるTFTアレイ基板を提供する。【解決手段】 絶縁性基板(ガラス基板1)上に形成されたゲート電極2と、該ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁膜3と、該ゲート絶縁膜3上に形成されたn型の不純物を含む第1のn型半導体層(第1のn層5a)と、該第1のn層5a上に形成された真性半導体層(i層4)と、該i層4上に形成されたn型の不純物を含む第2のn型半導体層(第2のn層5b)と、該第2のn層5b上に形成された金属からなるソース電極8およびドレイン電極7とからなる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたn型の不純物を含む第1のn型半導体層と、該n型半導体層上に形成された真性半導体層と、該真性半導体層上に形成されたn型の不純物を含む第2のn型半導体層と、該第2のn型半導体層上に形成された金属からなるソース電極およびドレイン電極とからなるバックチャネルエッチ型半導体薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 627 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 J