特許
J-GLOBAL ID：200903051148665647
窒化ガリウム系半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175444
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022785
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】新規GaN基板上に積層構造を設けて窒化物半導体素子を製造するに当たり、新規GaN基板の薄膜化及び劈開加工に最適な工程を有する製造方法を提供することである。【解決手段】従来と同様にして、GaN基板上にレーザ積層構造を形成する。薄膜化工程に移行し、ウエハのGaN基板側を荒削り加工し、次いで中削り加工で、粒径が0.5μm以上3μm以下のダイヤ砥粒でウエハを研磨して基板厚を調整する。仕上げ削り加工ではバフ研磨定盤を使い、研磨材として粒径0.3μm以上15μm以下のアルミナ研磨粒を、研磨液として水を使用するするアルミナ研磨によりウエハを研磨して、研磨面を鏡面に近い仕上げ面にすると共に所定の基板厚にする。劈開工程では、スクライブ装置を使ってウエハの積層構造側のウエハ面48にケガキ線50を設ける。ケガキ線は、GaN基板のコア部38とコア部との間を間隙にしてコア部上をレーザストライプに直交する方向にけがき、コア部上のケガキ短線52からなる破線状のケガキ線をウエハ全長にわたり設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
周囲の低密度欠陥領域より結晶欠陥密度が高い高密度欠陥領域が周期的な基板面上配列で基板を貫通しているGaN基板を基板とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法であって、
GaN基板からなるウエハ上に窒化ガリウム系半導体素子の積層構造を形成した後、GaN基板側のウエハ面を研磨して薄膜化する薄膜化工程では、GaN基板側のウエハ面の荒削り加工及び中削り加工に続く仕上げ削り加工で、研磨材として粒径0.3μm以上15μm以下のアルミナ研磨粒を、研磨液として水を使用するアルミナ研磨によりウエハのGaN基板側を研磨することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA32
, 5F073DA34
, 5F073DA35
