特許
J-GLOBAL ID：200903051148667976
磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-105909
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整方法に関し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流を最適値に設定するとともに、MRヘッドの無駄を防止すること。【解決手段】磁気抵抗効果型磁気ヘッドに調査用電流を流し、前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの端子にかかる電圧を測定し、前記調査用電流と前記電圧に基づいて前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗を演算し、予め調査された寿命と前記抵抗の関係から前記磁気抵抗効果型ヘッドに流す磁気抵抗効果バイアス電流の大きさの許容範囲を求め、前記許容範囲内で最適バイアス電流を決定することを含む。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果型磁気ヘッドに調査用電流を流し、前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの端子にかかる電圧を測定し、前記調査用電流と前記電圧に基づいて前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗を演算し、予め調査された寿命と前記抵抗の関係から前記磁気抵抗効果型ヘッドに流す磁気抵抗効果バイアス電流の大きさの許容範囲を求め、前記許容範囲内で最適バイアス電流を決定することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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