特許

J-GLOBAL ID：200903051155006888

半導体装置とその製造方法

発明者： 久永 幸博
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115316
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288026
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 スーパージャンクション構造を形成するp型領域とn型領域の間で不純物が相互拡散することを防止することができるとともに、製造工程を簡略化することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 p型領域24とn型領域22が繰り返して形成されているスーパージャンクション構造26を有し、少なくともスーパージャンクション構造26の繰り返し方向(y方向)において、Si結晶と、Si結晶に接するSi1-x-yGexCy結晶(0≦x<1、0<y<1、0<1-x-y<1)の不純物拡散防止膜28を繰り返して形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

p型領域とn型領域が繰り返して形成されているスーパージャンクション構造を有する半導体装置であり、 少なくともスーパージャンクション構造の繰り返し方向において、Si結晶と、Si結晶に接するSi1-x-yGexCy結晶(0≦x<1、0<y<1、0<1-x-y<1)が繰り返して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06

FI (9件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 A ,  H01L29/06 301D

Fターム (24件)：

5F140AA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB06 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BF43 ,  5F140BH02 ,  5F140BH12 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH27 ,  5F140BH30 ,  5F140BH32 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BK09 ,  5F140BK14 ,  5F140BK18 ,  5F140CD10 ,  5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開2003-374951号公報