特許

J-GLOBAL ID：200903051164247049

半導体集積回路実装用樹脂及び該樹脂を用いた半導体集積回路実装構造体

発明者： 中野 文雄 ,  天城 滋夫 ,  曽我 太佐男 ,  大塚 寛治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144794
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008300
出願日： 1987年06月19日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】熱疲労特性をよりいっそう高める為には、半田の破断を回避するだけに留まらず、チップ面に生ずる熱応力をも小さく出来る実装構造体1とする必要がある。充填すべき樹脂4の弾性係数をできるだけ小さくし、熱膨張係数は接合に用いている半田のそれに近いものとすれば良い。用いられる樹脂4としては未硬化の状態で流動性が有りチップ2と基板5の摩擦にボイドなしで充填可能であり、加熱などの手段により硬化して所望の物性を示すものが用いられる。【効果】LSIチップ2面に形成される熱応力に弱いアルミ薄膜の多層配線の破断を防止できるので、配線層と半田の断線が少ない半導体集積回路構造体1を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路が形成してなるLSIチップと,該LSIチップの搭載される基板と,該基板と前記LSIチップとの対向する電極端子間に形成された電気的な接続部と,該電気的な接続部周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するLSI実装構造体において,該樹脂の常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2で,かつ該樹脂の熱膨張係数が18〜40×10~6/°Cであることを特徴とする半導体集積回路実装用樹脂。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-316447
  
• 特開昭60-248769