ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-168630
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148805
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】現像液として塩基性水溶液を使用することができ、実用的な感度を有していて膨潤のない微細パターンを形成することができるネガ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】レジスト組成物において、(I),(II)又は(III)で示されるアセタールによって保護されたビニルエーテル構造を分子内に有する構成成分を少なくとも含むように構成し、酸発生剤を併用する。

請求項（抜粋）：

アセタールによって保護されたビニルエーテル構造を分子内に有する構成成分を少なくとも含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/038 601 , C08F220/28 , G03F 7/075 521 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/038 601 , C08F220/28 , G03F 7/075 521 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 528

Fターム (42件)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025FA10 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA03Q , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA16Q , 4J100BA20R , 4J100BB18Q , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12Q , 4J100BC53P , 4J100BC59P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100FA03 , 4J100JA38 , 5F046AA25 , 5F046BA07 , 5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (7件)

アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-254773 出願人：クンホセオキュホアハクジュシクヘサ
ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-106629 出願人：富士通株式会社
アセタール基を含有するアルコキシ-スチレン重合体とその製造方法及びアルコキシ-スチレン重合体を主要成分とする化学増幅型フォトレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317896 出願人：クンホセオキュイーワハクジュシクヘサ

全件表示

前のページに戻る