特許

J-GLOBAL ID：200903051172602508

基板上の銅配線形成方法及び銅配線の形成された基板

発明者： 高橋 久弥 ,  中村 博文 ,  伊▲崎▼ 昌伸 ,  片山 順一
出願人/特許権者： 富山日本電気株式会社 ,  奥野製薬工業株式会社 ,  大阪市
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085358
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁抵抗を保つことが可能であり高密度配線が可能な基板上の銅配線形成方法を提供する。【解決手段】 基板1上の全面に酸化亜鉛層2を形成し、酸化亜鉛層2上に、触媒金属を付与することなくパーマネントめっきレジスト3を形成し、パーマネントめっきレジスト3に対してパターンニングを行うことにより配線パターン用の開口部100を複数形成し、パターニング後の基板1を硫酸銅水溶液4に浸漬し、酸化亜鉛層2中の亜鉛を銅と置換することにより酸化銅層5を基板1上の各開口部100内に析出させ、析出した酸化銅層5を水素化ホウ素カリウム水溶液6中にて還元して、各開口部100内に金属銅層7を形成し、金属銅層7の形成された基板1を高速無電解アディティブめっき液9に浸漬して、各開口部100内の金属銅層7上に銅配線8を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に銅配線を形成する方法において、上記基板上の全面に酸化亜鉛層を形成し、上記酸化亜鉛層上に、触媒金属を付与することなくパーマネントめっきレジストを形成し、パーマネントめっきレジストに対してパターンニングを行うことにより配線パターン用の開口部を複数形成し、パターニング後の基板を硫酸銅水溶液に浸漬し、酸化亜鉛層中の亜鉛を銅と置換することにより酸化銅層を基板上の各開口部内に析出させ、析出した酸化銅層を所定の水溶液中にて還元して、各開口部内に金属銅層を形成し、金属銅層の形成された基板を無電解めっき液に浸漬して、各開口部内の金属銅層上に銅配線を形成することを特徴とする基板上の銅配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/288 M ,  C23C 18/16 B ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M

Fターム (24件)：

4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA08 ,  4K022CA14 ,  4K022CA19 ,  4K022CA28 ,  4K022DA01 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  5F033HH11 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ57 ,  5F033QQ62 ,  5F033WW02 ,  5F033XX31 ,  5F033XX34