特許
J-GLOBAL ID:200903051174109949
放射線像変換パネルの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳川 泰男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-303467
公開番号(公開出願番号):特開2005-069990
出願日: 2003年08月27日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 高画質の放射線像変換パネルの製造方法を提供する。【解決手段】 蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を加熱することによって発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、蒸着装置内の真空度を0.05乃至10Paの範囲に維持し、そして蒸発源を加熱することによって発生する物質の平均自由工程MFP(m)と、蒸発源と基板間の距離T-S(m)との比が関係式(1): 0.3≦(T-S)/MFP≦300を満足する条件にて、蒸着を行う。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
蒸着装置内にて蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源の加熱で発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着装置内の真空度を0.05乃至10Paの範囲に維持し、そして蒸発源の加熱で発生する物質の平均自由工程MFP(単位:m)と、蒸発源と基板間の距離T-S(単位:m)との比が下記関係式(1)を満足する条件にて、蒸着を行うことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
IPC (9件):
G21K4/00
, C09K11/00
, C09K11/08
, C09K11/61
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/85
, C23C14/24
, G01T1/00
FI (9件):
G21K4/00 M
, C09K11/00 B
, C09K11/08 A
, C09K11/61
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/85
, C23C14/24 R
, G01T1/00 B
Fターム (64件):
2G083AA03
, 2G083BB01
, 2G083CC02
, 2G083CC03
, 2G083DD01
, 2G083DD02
, 2G083DD11
, 2G083DD12
, 2G083DD16
, 2G083EE02
, 4H001CA04
, 4H001CA08
, 4H001CF01
, 4H001XA00
, 4H001XA03
, 4H001XA04
, 4H001XA09
, 4H001XA11
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA17
, 4H001XA19
, 4H001XA20
, 4H001XA21
, 4H001XA28
, 4H001XA29
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA35
, 4H001XA37
, 4H001XA38
, 4H001XA39
, 4H001XA48
, 4H001XA49
, 4H001XA53
, 4H001XA55
, 4H001XA56
, 4H001YA11
, 4H001YA12
, 4H001YA29
, 4H001YA39
, 4H001YA47
, 4H001YA58
, 4H001YA59
, 4H001YA60
, 4H001YA62
, 4H001YA63
, 4H001YA64
, 4H001YA65
, 4H001YA66
, 4H001YA67
, 4H001YA68
, 4H001YA69
, 4H001YA70
, 4H001YA71
, 4H001YA81
, 4H001YA83
, 4K029AA08
, 4K029AA24
, 4K029BA41
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA01
, 4K029EA03
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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