特許

J-GLOBAL ID：200903051177097151

GaAs結晶及びGaAsデバイス

発明者： 乙木 洋平 ,  柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260779
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097596
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：

【要約】【目的】素子間分離に必要とされる充分な半絶縁性を有し、活性化熱処理等の熱プロセスを経ても、デバイス特性に悪影響を与えず、しかもデバイス製造を容易とする。【構成】GaAs結晶に浅いアクセプタ準位を形成する炭素を添加する。炭素はCr等に比して拡散係数が非常に小さく、高濃度添加することにより比抵抗が高くなる。デバイスに必要とされる1×108 Ω・cm以上の高比抵抗を得るためには、炭素濃度は3×1015から25×1015cm-3とする。特に、n型ドーパントとなる不純物のイオン打込みにより形成した能動層をもつ高周波GaAsデバイスの場合には、短チャネル効果を防止するために、下限濃度を8×1015cm-3とする。これにより短チャネル効果が防止できるので、複雑なBP構造を不要とする。

請求項（抜粋）：

炭素濃度を3〜25×1015cm-3含む半絶縁性のGaAs結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/42 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/265 C ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-313398
  
• 特開平1-192793
  
• 特開昭59-227165