特許

J-GLOBAL ID：200903051178964320

半導体量子細線の製造方法

発明者： 嘉数 誠 ,  小林 直樹 ,  安藤 弘明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026412
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244113
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体基板上に量子細線を形成する半導体量子細線の製造方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板上に量子細線を形成する半導体量子細線の製造方法において、化合物半導体基板上に複数の分子層の段差をもつステップを形成する工程と、(001)面方位のテラスからなる周期的な階段状構造の半導体層を形成する工程とを少なくとも含む。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に量子細線を形成する半導体量子細線の製造方法において、化合物半導体基板上に複数の分子層の段差をもつステップを形成する工程と、(001)面方位のテラスからなる周期的な階段状構造の半導体層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体量子細線の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-280629
  
• 特開昭62-273791