特許

J-GLOBAL ID：200903051180413455

半導体装置

発明者： 矢内 鉄朗 ,  徳一 智幸
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290573
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142481
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 素子領域の主要配線部への水分の浸入を防止し、素子領域における主要配線部の腐食発生がなく、信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】 素子領域には主要配線部が設けられ、層間絶縁膜と、素子を保護するパッシベーション膜を有する半導体装置において、素子領域Aの主要配線部へと延びる透水性の高い層間絶縁膜24が素子領域Aの周辺部Cにおいて除去され、層間絶縁膜24が断たれるように形成される溝26と、この溝26に充填されるパッシベーション膜28とを設けて、素子領域Aの主要配線部への水分の浸入を防止する。

請求項（抜粋）：

素子領域には主要配線部が設けられ、層間絶縁膜と、パッシベーション膜を有する半導体装置において、(a)素子領域の主要配線部へと延びる透水性の高い層間絶縁膜が素子領域の周辺部において除去され、該層間絶縁膜が断たれるように形成される溝と、(b)該溝に充填される透水性の低い部材とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/82

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/82 R