特許

J-GLOBAL ID：200903051180622216

薄膜コンデンサ、及びその製造方法

発明者： 山中 英二 ,  鈴木 龍彦
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155526
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004029
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 作業性、生産性が極めて良好であること。【解決手段】 低抵抗基板1の表面に第1の溝2を形成する工程と、該第1の溝2に絶縁性樹脂3を埋込んで平坦化する工程と、前記表面に誘電体膜4を形成する工程と、前記第1の溝2の内側に前記第1の溝2よりも幅寸法及び深さ寸法が小さい第2の溝6を形成する工程と、該第2の溝6と前記基板1の表裏面で位置が整合するよう前記基板1の裏面に前記第2の溝6と略同形状の第3の溝7を形成する工程と、前記基板1の両面に金属膜8、9を形成する工程と、さらに前記第2及び第3の溝6、7で切断する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

低抵抗基板の表面に第1の溝を形成する工程と、該第1の溝に絶縁性樹脂を埋込んで平坦化する工程と、前記表面に誘電体膜を形成する工程と、前記第1の溝の内側に前記第1の溝よりも幅寸法及び深さ寸法が小さい第2の溝を形成する工程と、該第2の溝と前記基板の表裏面で位置が整合するよう前記基板の裏面に前記第2の溝と略同形状の第3の溝を形成する工程と、前記基板の両面に金属膜を形成する工程と、さらに前記第2及び第3の溝で切断する工程とを含むことを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H05K 1/16

FI (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H05K 1/16 D ,  H01L 27/04 C