特許
J-GLOBAL ID:200903051184388625
マグネトロンスパッタ装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-161922
公開番号(公開出願番号):特開2004-360036
出願日: 2003年06月06日
公開日(公表日): 2004年12月24日
要約:
【課題】従来のマグネトロンスパッタ装置1では、ターゲット材3の寿命管理方法が積算電力値やスパッタ処理枚数に上限を設ける方法であり、間接的であり、信頼性に欠け、材料ロスが大きかった。また、小型ビデオカメラ17の画像を観察する方法は、経験的な判断を必要とし、定量的という点において十分とは言えなかった。【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置101は、ターゲット材3表面を撮像するため撮像手段として、CCDカメラ102a、および、上方光源102bとが配置されており、CCDカメラ102aは、本発明の特徴である画像処理判定部105と接続されている。また、画像処理判定部105は、CCDカメラ102aで随時、撮像した対象画像106を2値化処理し、予め、入力してある基準画像と比較しターゲット材3の消耗レベルを把握し、スパッタ作業の継続の可否を判定可能となっている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
真空チャンバ内に配置したターゲット材上に、磁界によってプラズマ密度を制御したプラズマを発生させて、前記ターゲット材と対向して配置した半導体ウェーハ上にスパッタ膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲット材表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段で前記ターゲット材表面を撮像した対象画像を、予め、設定した基準画像と比較して前記ターゲット材の消耗量を把握し、スパッタ作業の継続の可否を判定する画像処理判定部とを備えたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
IPC (3件):
C23C14/34
, G06T1/00
, H05H1/46
FI (3件):
C23C14/34 U
, G06T1/00 305Z
, H05H1/46 M
Fターム (20件):
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DC01
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029EA00
, 5B057AA03
, 5B057CA02
, 5B057CA06
, 5B057CA12
, 5B057CA16
, 5B057CC01
, 5B057DA03
, 5B057DB02
, 5B057DB05
, 5B057DB08
, 5B057DC02
, 5B057DC33
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