特許

J-GLOBAL ID：200903051189179390

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 石田 多華生 ,  服部 亮
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227737
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074186
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体装置の製造工程における熱処理によってフッ素が動作層に侵入してくることを防止してデバイスの性能の劣化および信頼性の低下を防ぐことを目的とする。【解決手段】 半絶縁性InP基板11上に形成したチャネル層13及びSiプレ-ナド-プキャリア供給層15等の動作層の上部の層にSiを不純物として含むフッ素トラップ層41を設けることによって、熱処理工程中に外部から侵入してくるフッ素をトラップして、チャネル層13またはSiプレ-ナド-プキャリア供給層15に混入するフッ素の量を軽減することができる化合物半導体装置。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板、この化合物半導体基板の上部に形成され一又は二以上の半導体層からなる動作層、この動作層の上部に形成されフッ素と結合し得る不純物を含む半導体層からなるフッ素拡散防止層を備えたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/48 H