特許

J-GLOBAL ID：200903051189595874

窒化物半導体系電界効果トランジスタとその製造方法

発明者： 大石 敏之 ,  南條 拓真 ,  三浦 成久 ,  阿部 雄次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311869
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】高速スイッチング動作可能な窒化物半導体系電界効果トランジスタを得る。【解決手段】窒化物半導体系電界効果トランジスタを、基板1と、基板1上に形成され窒化物半導体からなるチャネル層3と、チャネル層3上に形成されチャネル層3よりバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなるキャリア供給層4と、キャリア供給層4上にそれぞれ設けられたソースおよびドレイン電極6,7と、ソースおよびドレイン電極間の前記キャリア供給層4に一部が表面に露出するように形成された絶縁膜領域8と、絶縁膜領域8上に設けられたゲート電極9と、で構成した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され窒化物半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層上に形成され前記チャネル層よりバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなるキャリア供給層と、 前記キャリア供給層上にそれぞれ設けられたソースおよびドレイン電極と、 前記ソースおよびドレイン電極間の前記キャリア供給層に一部が表面に露出するように形成された絶縁膜領域と、 前記絶縁膜領域上に設けられたゲート電極と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体系電界効果トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301B

Fターム (33件)：

5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA12 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BG27 ,  5F140BG36 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CB00 ,  5F140CE02 ,  5F140CE18