特許

J-GLOBAL ID：200903051193218635

パターン処理方法

発明者： 河村 大輔 ,  塩原 英志 ,  大西 廉伸 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332484
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 パターン変形等を生じさせることなくエッジラフネスを改善することが可能なパターン処理方法を提供する。【解決手段】 露光及び現像工程を経て形成されたレジストパターン2又は該レジストパターンを鋳型として形成された樹脂パターンからなる材料パターンのパターン処理方法であって、光照射によって材料パターンの表面領域を選択的に加熱して該表面領域を選択的にリフローする。

請求項（抜粋）：

露光及び現像工程を経て形成されたレジストパターン又は該レジストパターンを鋳型として形成された樹脂パターンからなる材料パターンのパターン処理方法であって、光照射によって前記材料パターンの表面領域を選択的に加熱して該表面領域を選択的にリフローすることを特徴とするパターン処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 511

FI (2件)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

Fターム (5件)：

2H096AA25 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  5F046AA28 ,  5F046CA02