特許

J-GLOBAL ID：200903051195583160

分布帰還型半導体レーザ

発明者： 室谷 義治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063083
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256653
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 共振器軸方向に周期構造である回折格子を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、共振軸方向の電界強度分布を平坦化させて安定な単一モード発振を実現し、より十分な主モードと副モード間のしきい値利得差を有する分布帰還型レーザ発振器を提供する。【解決手段】 回折格子の周期を連続的に増減させた少なくとも1つの周期変化領域と、回折格子の周期が所定の一定値である周期均一領域とを有し、周期均一領域の回折格子の位相に対する周期変化領域の回折格子による位相変化量の総和である累積位相変化量の絶対値を、周期均一領域の回折格子の周期の3/2倍から11/2倍にする。

請求項（抜粋）：

共振器軸方向に周期構造である回折格子を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、前記回折格子の周期を連続的に増加及び減少させた少なくとも1つの周期変化領域と、前記回折格子の周期が所定の一定値である周期均一領域と、を有し、前記周期均一領域の回折格子の位相に対する前記周期変化領域の回折格子による位相変化量の総和である累積位相変化量の絶対値が、前記周期均一領域の回折格子の周期の3/2倍から11/2倍であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。