特許
J-GLOBAL ID：200903051196674585
試料の観察方法及びその装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
作田 康夫
, 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338342
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183369
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 実際に得られた観察画像における観察方向(あるいは電子線の入射方向)は設定値に対し誤差を含むことが予想され、前記誤差分がその後の観察画像の解析に影響を与える。 【解決手段】 形状既知の試料に収束電子線を照射し、前記試料表面から放出される電子を検出し、前記検出した電子の強度を画像化した画像を用い、前記形状既知の試料の画像上での幾何学的な変形をもとに収束電子線の入射方向を推定し、この推定した集束電子線の入射方向の情報を用いて観察対象試料のSEM画像から観察対象試料の3次元形状又は断面形状を求めるようにした。 【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
集束させた電子ビームを試料に照射して走査し、該照射による前記試料から発生する2
次電子又は反射電子を検出して得られるSEM画像を用いて前記試料を観察する方法であ
って、
形状が既知のパターンが形成されたキャリブレーション基板の表面に斜め方向から集束
させた電子ビームを照射して走査することにより前記形状が既知のパターンが形成された
キャリブレーション基板の表面のSEM画像を取得し、
前記形状が既知のパターンの該形状の情報と前記取得したSEM画像の情報とを用いて
前記電子ビームを照射した斜め方向の角度を求め、
該求めた斜め方向の角度が所望の角度になるように調整し、
パターンが形成された試料基板を前記調整した所望の斜め方向の角度から前記電子ビー
ムを照射して前記試料基板のSEM画像を取得し、
前記所望の角度の情報を用いて前記試料基板のSEM画像を処理することにより前記試
料基板上のパターンの3次元画像または前記パターンの断面形状を求める
ことを特徴とする試料の観察方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J37/22 502H
, H01L21/66 P
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106CA51
, 4M106DB05
, 4M106DJ02
, 4M106DJ11
, 4M106DJ20
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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