トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263943
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076324
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子にカーボンナノチューブを用いることで、高速動作が可能で、室温で動作するナノメーターサイズのトランジスタを提供すること。【解決手段】半導体特性を有するカーボンナノチューブリング16,17を半導体材料として、あるいは、導電性または半導体特性を有するカーボンナノチューブリング18,19を電極材として、用いることを特徴とするトランジスタである。

請求項（抜粋）：

半導体特性を有するカーボンナノチューブリングを半導体材料として用いることを特徴とするトランジスタ。

IPC (10件)：

H01L 29/06 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/43 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (9件)：

H01L 29/06 , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/28 301 B , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 622 , H01L 29/80 B , H01L 29/80 C

Fターム (45件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040EC16 , 5F040EC19 , 5F040EC26 , 5F040EE01 , 5F040EF01 , 5F040EH02 , 5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ03 , 5F102GJ05 , 5F102GL02 , 5F102GL10 , 5F102GR01 , 5F102GS03 , 5F102GS07 , 5F102GT01 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F110AA01 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE22 , 5F110EE36 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG23

引用特許：

出願人引用 (2件)

カーボン分子とその集合体、カーボン原子の配置構造とその作成方法およびそれらを用いたフォーク結線網
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192846 出願人：株式会社日立製作所
微細物質の固定ならびに電極形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035071 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

カーボン分子とその集合体、カーボン原子の配置構造とその作成方法およびそれらを用いたフォーク結線網
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192846 出願人：株式会社日立製作所
微細物質の固定ならびに電極形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035071 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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