特許

J-GLOBAL ID：200903051201872064

SiC基板の製造方法

発明者： 生中 直行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-258665
公開番号（公開出願番号）：特開2005-117027
出願日： 2004年09月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】研磨装置や環境への負荷を軽減しながら、加工傷やクラックの発生が抑制された、表面粗さが小さく、信頼性の高いSiC基板を提供する。【解決手段】SiC基板の製造方法は、研磨剤6がパッド3a上に塗布された研磨パッド3と板状のSiC材1とが接した状態で、研磨パッドをSiC材1の表面に対して相対運動させることにより、SiC材1の表面を研磨する工程を含み、研磨剤6が、コロイダルシリカ6aとコロイダルシリカ6aが分散された分散媒6bとを含み、研磨剤6のpHが4〜9である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SiC基板の製造方法であって、 研磨剤がパッドに塗布された研磨パッドと板状のSiC材とが接した状態で、前記研磨パッドを前記SiC材に対して相対運動させることにより、前記SiC材を研磨する研磨工程を含み、 前記研磨剤が、コロイダルシリカと、前記コロイダルシリカが分散された分散媒とを含み、前記研磨剤のpHが4〜9であることを特徴とするSiC基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00

FI (6件)：

H01L21/304 621B ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622F ,  B24B37/00 B ,  B24B37/00 C ,  B24B37/00 H

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-102173   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (2件)

• SiC系化合物のCMP用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-398479   出願人：株式会社東芝
• SiC単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-097341   出願人：独立行政法人科学技術振興機構