特許
J-GLOBAL ID：200903051202512533
露光用マスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102698
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297566
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明はハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 あらかじめパターニングされた遮光膜および半透明膜に隣接するように感光性樹脂パターンを形成し、この感光性樹脂パターンを遮光体および半透明膜の側壁保護膜として用いながら、遮光体および半透明膜パターンのウエットエッチングによる薄膜化を行う。【効果】 本発明により、遮光膜および半透明膜の側壁角が垂直で、表面荒さが小さく、寸法精度が良いハーフトーン型位相シフトマスクを得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
透明基板上に遮光膜または半透明膜パターンを形成する工程と、この遮光膜または半透明膜パターンをマスクに前記透明基板を所望の厚さだけエッチングする工程と、このエッチングされた透明基板上及び前記遮光膜または半透明膜パターン上に感光性樹脂層を形成する工程と、所定位置の前記遮光膜または半透明膜パターン上の感光性樹脂層を除去する工程と、前記感光性樹脂層が除去された部分の遮光膜または半透明膜パターンを等方性エッチングにより所望の厚さまでエッチングする工程と、前記感光性樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
IPC (2件)：
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