巨大磁気抵抗効果を利用したメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040355
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】電流マージンが十分小さい実用的なSOI基板上のGMRメモリ、ならびにGMRメモリ特性の向上した、周辺回路の高速化と共により好適なコンピュータペリフェラル向けの安価なメモリの提供。【解決手段】基板/絶縁性を有するインシュレータ層/Siエピタキシャル層からなるSOI基板上に作製した第1磁性層/非磁性層/第2磁性層からなる磁気薄膜素子の近傍に絶縁層を介して書き込み線を設けたメモリ素子において、該書き込み線を第1磁性層とSOI基板のインシュレータ層の間に設けてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果メモリ。

請求項（抜粋）：

基板/絶縁性を有するインシュレータ層/Siエピタキシャル層からなるSOI基板上に作製した第1磁性層/非磁性層/第2磁性層からなる磁気薄膜素子の近傍に絶縁層を介して書き込み線を設けたメモリ素子において、該書き込み線を第1磁性層とSOI基板のインシュレータ層の間に設けてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果メモリ。

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