特許

J-GLOBAL ID：200903051203839579

スパッタリング装置のターゲット

発明者： 神保 毅
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-143708
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】 冷却効率を高め、スループットを向上させる。【解決手段】 ターゲット13は、アルミニウムやチタニウムなどにより形成されており、ターゲット13の冷却面となる裏面13aには、放射状の溝20が径方向二重に形成されている。溝20は、エロージョン6に対応する位置に放射状に形成されている。また、溝20は、エロージョン6の深さに対応するように、すなわち最も激しくスパッタされて発熱が著しい位置に対応するように、溝20の長さ方向(ターゲット13の径方向)の端部よりも中央部が深く窪むように形成されている。これにより、冷却水2に直接浸される裏面13aのエロージョン6に対応した位置の表面積が増えるので、冷却効率がよくなる。

請求項（抜粋）：

ターゲットの裏面が冷却水に浸されるスパッタリング装置のターゲットにおいて、前記ターゲットの裏面における、スパッタ中に前記ターゲットの表面に形成されるエロージョンと対応する位置に溝を形成したことを特徴とするスパッタリング装置のターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/34 L ,  C23C 14/34 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S