特許
J-GLOBAL ID：200903051204413451
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335723
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201742
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 膜堆積の連続処理回数を増加しても、パーティクルの発生量が少ないプラズマCVD装置を提供する。【構成】 反応ガス導入管18と真空排気口15を有する反応室14と、反応室14内で基板23を載置する基板台22と、基板台22を加熱するヒーターブロック24と、基板台22に対して対向位置に配置した高周波電極16からなるプラズマCVD装置において、電極16、基板台22、反応室14等の反応室14の構成部品の一部あるいは全部品材料の表面処理として、ブラスト処理による粗化、あるいは多数の気孔を有するポーラスなメッキを施すことにより、連続して膜堆積してもパーティクルの発生が少なく、結果として反応室14内のクリーニング(エッチングによる堆積膜の除去)の頻度を少なくすることができ、生産性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱するヒーターブロックと、基板台に対して対向位置に配置され、高周波電力が供給される高周波電極からなるプラズマCVD装置において、高周波電極の材料の表面処理としてブラスト処理による粗化あるいはメッキ等により多数の気孔を有するポーラスな膜を形成した材料で構成され、複数枚連続して基板を処理する工程とエッチングガスを流して反応室内に堆積した膜を除去する工程を交互に繰り返すプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
