特許

J-GLOBAL ID：200903051210575870

半導体ウェハの洗浄装置

発明者： 五月女 栄宏 ,  沖 一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035096
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232266
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 被洗浄物や高圧容器内壁に対する汚染を防止できる半導体ウェハの洗浄装置を提供する。【解決手段】 上蓋22は、箱を伏せた形状を成して上部中央に注入口23が設けられており、ステージ21を隙間26を設けて覆う。そして、注入口23から注入される超臨界流体の量と隙間26から洗浄槽外に排出される超臨界流体の量とをバランスさせることによって、洗浄槽をシール材で密閉することなく洗浄槽内を超臨界状態に保つ。したがって、シール材でウェハ24や上蓋22の内壁が汚染されない。また、超臨界流体中に抽出された汚染物質が速やかに洗浄槽外に排出されて、ウェハ24や上蓋22の内壁が再汚染されない。

請求項（抜粋）：

被洗浄ウェハを搭載したウェハキャリアが載置されるステージと、箱を伏せた形状を成すと共に、上部に洗浄物質の注入口を有して、壁の下端に隙間を形成して上記ステージを蓋する上蓋と、加圧昇温されて超臨界状態になった洗浄物質を上記上蓋の注入口から供給する洗浄物質供給手段と、上記ステージを上蓋で蓋した場合に上記上蓋とステージとの間に形成された隙間から洗浄物質を排出する洗浄物質排出手段と、上記洗浄物質排出手段によって排出される洗浄物質量を調整して、上記壁内における洗浄物質の圧力を臨界圧以上の一定圧に保つ排出量調整手段を備えたことを特徴とする半導体ウェハの洗浄装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 T ,  B08B 3/02 A