特許

J-GLOBAL ID：200903051210700861

半導体装置及びその製造方法

発明者： 灘原 壮一 ,  山部 紀久夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299003
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136153
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】本発明は、素子特性の低下を招くこと無くゲッタリングを行なうことができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】SiH4 、PH3 ガスを用いたCVD法により、シリコン基板1bの裏面にリン濃度が1020atoms/cm3 程度以上、膜厚が400nm程度のリンド-プポリシリコン膜2aを堆積し、引き続き、低温熱処理を行なって素子領域中の汚染物質をリンド-プポリシリコン膜2aに偏析せしめることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面に素子が形成される半導体基板と、この基板の裏面に形成され、前記素子の形成領域から重金属を含む汚染物質を除去するリンを含むシリコン膜とを備え、前記シリコン膜のリン濃度が所定温度においてシリコン膜の固溶限を越えることを特徴とする半導体装置。