磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-063715
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】信頼性が高く交換バイアス磁界量の大きいMRヘッドを提供する。【構成】アルティック基板10上に下シールド11,ギャップ層12、CoZrMoからなる隣接バイアス材13を順次積層し、この上にNiFeからなるMR膜14を形成し、この上に縦方向バイアス磁界を生じさせるためのMn合金からなる反強磁性膜15を形成する。さらに、リード電極16を設け、所定膜厚のギャップ層17、NiFeからなる上シールド18、ギャップ層19を積層し、最後にNiFeからなる書き込みポール20を形成する。このとき、反強磁性膜15を成膜するためのMn合金ターゲットを、300°Cで窒素中に20時間の熱処理を行い、ターゲット表面に析出した酸素をエッチングにより除去し、そのターゲットを用いて反強磁性膜を形成する。これにより、反強磁性膜中の酸素,C濃度を10原子%以下に抑え、交換バイアス量を大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

強磁性磁気抵抗効果層と、この強磁性磁気抵抗効果層に接し、交換力により縦方向バイアス磁界を生じさせる反強磁性体層とを備える磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記反強磁性体層中の酸素濃度を前記反強磁性体層組成の10原子%以下にしたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。

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