特許
J-GLOBAL ID:200903051226178138
電界放出素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
脇 篤夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-200992
公開番号(公開出願番号):特開平10-031954
出願日: 1996年07月12日
公開日(公表日): 1998年02月03日
要約:
【要約】【課題】簡易に製造できる構成とする。【解決手段】カソード基板1に多数本のストライプ状の溝を形成し、この溝内に、カソードライン5、抵抗層4、および、エミッタ層3からなるエミッタライン2を形成する。エミッタライン2は平面状とされるとされると共に、ストライプ状の溝内にエミッタライン2が形成されるため、その製造を容易に行える。
請求項(抜粋):
カソード基板に形成された複数本のストライプ状の溝内に、カソードライン、抵抗層、およびエミッタ層が順次積層されて形成されており、前記ストライプ状の溝と溝との間の前記カソード基板の表面に、ゲートラインが形成されていることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
引用特許: