特許

J-GLOBAL ID：200903051228327076

薄いゲ-ト誘電体上の小形金属ゲ-ト用ドライエッチング処理方法及びその方法により製造された製品。

発明者： ロバート クラフト ,  アントニオ エル ピー ロトンダロ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312671
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 超薄ゲート酸化物上に損傷させることなくゲート電極スタックを形成させる。【解決手段】金属-導電性拡散障壁-ゲートの誘電性構造の製作が、プラズマ補助の異方性エッチングにより障壁材料まで及びその内部に金属をエッチングすること(図1の段階110)、及びその後障壁層がイオン衝撃にさらされていない間にドライケミカルダウンストリームエッチング処理により障壁層の残部をエッチングすること(図1の段階110)により行われる。チタニウム窒化物上のタングステンの場合には、高い選択度及び良好な特性は、タングステンエッチングの間には、低温度、比較的低いバイアス、及び窒素の付加の組合わせを使用することにより、又、チタニウム窒化物エッチングの間には、(沸騰するH2SO4中で)従来のウェットエッチングの代わりにケミカルダウンストリームエッチングを使用することにより、得られるのが好ましい。(これはアンダカットのより良い制御をさせ、ウェットストリップ処理を削除する)。

請求項（抜粋）：

集積回路製造中に金属/障壁/誘電性ゲートスタックをエッチングする方法であって、(a)プラズマ補助の異方性エッチングにより障壁層まで及びその内部に金属をエッチングする段階と、(b)障壁層がイオン衝撃にさらされていない間、ゲート誘電体に選択的なドライケミカルダウンストリームエッチングにより障壁層の残部をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 F ,  H01L 27/10 681 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 F