特許
J-GLOBAL ID：200903051229246568
透明導電積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313386
公開番号（公開出願番号）：特開平9-150477
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 透明導電積層体を構成している透明導電膜の表面抵抗が低いことから、入力精度が向上したアナログ型のタッチパネル等を得ることが困難である。【解決手段】 電気絶縁性の透明基材上に、インジウム(In)および錫(Sn)のいずれか一方と、チタン,シリコン,ニッケル,イリジウム,ロジウム,セリウム,ジルコニウム,タンタル,タリウム,ハフニウム,マグネシウム,コバルト,鉛およびクロムからなる金属元素群より選ばれた少なくとも1種の金属元素と、酸素とを構成元素とし、前記金属元素の総量の原子比(金属元素群より選ばれた全金属元素)/[(InまたはSn)+(金属元素群より選ばれた全金属元素)]が2.2〜40at%である酸化物膜からなり、膜厚および比抵抗が添付図面の図1に示す点A,B,C,Dを頂点とする四角形の範囲内にある透明導電膜を形成することによって透明導電積層体を得る。
請求項（抜粋）：
電気絶縁性の透明基材と、この透明基材上に形成された透明導電膜とを有し、前記透明導電膜が、インジウム(In)および錫(Sn)のいずれか一方と、チタン(Ti),シリコン(Si),ニッケル(Ni),イリジウム(Ir),ロジウム(Rh),セリウム(Ce),ジルコニウム(Zr),タンタル(Ta),タリウム(Tl),ハフニウム(Hf),マグネシウム(Mg),コバルト(Co),鉛(Pb)およびクロム(Cr)からなる金属元素群より選ばれた少なくとも1種の金属元素と、酸素(O)とを構成元素とし、前記金属元素の総量の原子比(金属元素群より選ばれた全金属元素)/[(InまたはSn)+(金属元素群より選ばれた全金属元素)]が2.2〜40at%である酸化物膜からなり、該透明導電膜の膜厚および比抵抗が、添付図面の図1に示す点A,B,C,Dを頂点とする四角形の範囲内にあることを特徴とする透明導電積層体。
IPC (5件)：
B32B 9/00
, B32B 7/02 104
, B32B 15/04
, C23C 14/08
, H01B 5/14
B32B 9/00 A
, B32B 7/02 104
, B32B 15/04 Z
, C23C 14/08 D
, H01B 5/14 A
