半導体装置の製造方法およびダイボンディング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273432
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106373
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】ろう材の量を容易に調整しつつ確実に仮付けする。【解決手段】ダイボンディング装置は金共晶材からなるワイヤ41がダイパッド15にウエッジ39でウエッジボンディングされてろう材部45が仮付けされる仮付けステージ22と、ろう材部45を予熱する予熱ステージ23と、大小のチップ26、27がろう材部に押し付けられてダイパッド15にろう付けされるボンディングステージ24とを備えている。【効果】チップの大きさに応じてろう材部の量を容易に調整できるため、異なる大きさのチップを同一のダイパッドにダイボンディングできる。ウエッジボンディングされたろう材部は金箔のように位置ずれしないため、位置ずれによるダイボンディング不良が発生するのを防止でき、位置ずれ防止工程を設定しなくて済む。

請求項（抜粋）：

ろう材からなるワイヤがダイパッドにワイヤボンディング工具によって押し付けられてろう材部が仮付けされる仮付け工程と、半導体チップが前記ろう材部に押し付けられて前記ダイパッドにろう付けされるボンディング工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/52 F , H01L 21/52 D , H01L 21/52 G

Fターム (19件)：

5F047AA11 , 5F047AA14 , 5F047AB03 , 5F047BA02 , 5F047BA04 , 5F047BA05 , 5F047BA12 , 5F047BA42 , 5F047BA43 , 5F047BB02 , 5F047FA02 , 5F047FA08 , 5F047FA12 , 5F047FA21 , 5F047FA34 , 5F047FA36 , 5F047FA52 , 5F047FA71 , 5F047FA79

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