特許
J-GLOBAL ID：200903051236986410
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255667
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163400
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 不必要な直列抵抗の増大を伴うことなく発光効率を向上した多孔質シリコン(PS)を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 厚みの制御された第1導電型ナノ構造PS層12と、この両側に接して配置された第2導電型ナノ構造PS層61および第1導電型メソ構造PS層13とを少なくとも有して構成される。第1導電型ナノ構造PS層12はあらかじめ厚みを設定した非縮退結晶性シリコンを陽極化成して形成するので、最大発光効率が得られる厚みが正確に制御できる。
請求項（抜粋）：
第1の第1導電型ナノ構造多孔質シリコン層と、該第1の第1導電型ナノ構造多孔質シリコン層の上部に形成された第2導電型メソ構造多孔質シリコン層と、前記第1の第1導電型ナノ構造多孔質シリコン層の下部に形成された第1の第1導電型メソ構造多孔質シリコン層とを少なくとも含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, G09F 9/33
, H01L 27/15
, H05B 33/10
, H05B 33/14
H01L 33/00 A
, G09F 9/33 D
, H01L 27/15 B
, H05B 33/10
, H05B 33/14 Z
