特許
J-GLOBAL ID：200903051239117600
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111942
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326189
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 高集積化の達成と、導通・絶縁間の可逆的な変更の達成とを同時に行うことが可能な半導体装置を提供する。【構成】 導通・絶縁を変更したい二つの配線6及び7の間に、ヒューズ部1とアンチヒューズ部2とを直列に接続した導通・絶縁変更箇所7を接続し、ヒューズ部1には、これを絶縁状態にするためのヒューズ部制御アクチベータ3を、アンチヒューズ部2には、これを導通状態にするためのアンチヒューズ部制御アクチベータ4を各々接続した。
請求項（抜粋）：
フィールド・プログラマブル・ゲートアレイ構造を備えた半導体装置において、ヒューズ部とアンチヒューズ部とを直列に接続した構造を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/82 A
, H01L 21/82 M
, H01L 21/82 F
