特許

J-GLOBAL ID：200903051246591090

ダイヤモンド薄膜及びその作成方法

発明者： 大谷 久 ,  角野 真也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097268
公開番号（公開出願番号）：特開平5-271942
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンド薄膜の作成の際に、ダイヤモンド薄膜とシリコン基板との密着性を向上させ、実用に耐えられる薄膜を得る。【構成】 シリコン基板45の一部に多孔質シリコン部分41を陽極化成によって作成し、その上部にダイヤモンドを作成することにより、微細孔44の中にダイヤモンドの粒子が入り、アンカー効果を発揮すると共に、残留シリコン44が曲がることによりダイヤモンド薄膜にかかる応力を緩和する。

請求項（抜粋）：

単結晶あるいは多結晶あるいは非定型の形態を有するシリコン基板の、一部または全部が多孔質化され、該多孔質シリコンに密着してダイヤモンドを主成分とする炭素からなる薄膜が形成されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-119671
  
• 特開昭62-149872
  
• 特開平4-025130