特許
J-GLOBAL ID:200903051248923783

荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-135701
公開番号(公開出願番号):特開2000-331905
出願日: 1999年05月17日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【目的】側壁付近に氷柱状のものが形成されず、垂直でシャープな側壁を有する支柱を形成することができる荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を提供する。【解決手段】支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなるSOI基板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられ、酸化シリコン層、レジスト層が順次積層されてなるドライエッチング用マスクを形成する工程と、前記マスクに設けられた開口パターンに合わせて前記支持シリコン層をドライエッチングする工程と、前記酸化シリコン層を除去する工程と、を備えた荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。
請求項(抜粋):
支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなるSOI基板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられ、酸化シリコン層、レジスト層が順次積層されてなるドライエッチング用マスクを形成する工程と、前記マスクに設けられた開口パターンに合わせて前記支持シリコン層をドライエッチングする工程と、前記酸化シリコン層を除去する工程と、を備えた荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (3件):
H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E
Fターム (10件):
2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H095BB14 ,  2H095BB36 ,  2H095BC27 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05

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